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半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀

半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀

產(chǎn)品型號(hào): IST8800

所屬分類(lèi):半導(dǎo)體器件測(cè)試儀

產(chǎn)品時(shí)間:2024-05-07

簡(jiǎn)要描述:IST8800提供了40種測(cè)量參數(shù)

詳細(xì)說(shuō)明:

產(chǎn)品特點(diǎn):

IST8800提供了40種測(cè)量參數(shù),它們分別為:
·三極管:Icbo,lceo,lebo,Bvcbo,Bvebo,Bvceo,Vce(sat)VbeHfe,Icer,1Cesm,Icev,BVCer,BvceS,Bvcev;
·二極管:Ir,BVr,Vr·齊納二極管:BVz,lzr,Vzr,Vzf  J—FET:Idss;Igss,BVgss,gm,SCR&TRIAC:+/|lgt,+/|vgt  
·穩(wěn)壓器:+/_VO,+lib,△V  MOS-PET:Idss,Igss,BVdss,Vgs(th)
性能特點(diǎn):·后備電池的CMOS RAM,提供56個(gè)不同測(cè)試程序的參數(shù)與數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)功能·全部可編程的DUT恒流源和電壓源
· 300μS脈沖測(cè)試或直流測(cè)試·內(nèi)置繼電器矩陣提供更加靈活并且準(zhǔn)確的測(cè)量·軟件自校準(zhǔn)功能·內(nèi)部自動(dòng)保護(hù)電路在DUT加電前,檢測(cè)開(kāi)路、短路,PH結(jié)反向,辨別器件類(lèi)型(NPN或PNP、P-溝道或N-溝道),校驗(yàn)正確的連接·測(cè)試分辨率小到0.1nA電流,大到1200V電壓

·重復(fù)“回路”式測(cè)試解決了元件發(fā)熱與間歇的問(wèn)題。

 
 

技術(shù)規(guī)格:

參數(shù)規(guī)范: 漏電流:三極管 icbo,iceo,icev,ices,ice r二極 izr J/MOS-FET 柵極電壓: idss

測(cè)試范圍

分辨率

精度

測(cè)試條件

0 ~ 2mA

1μA

+/-1%

0 ~ 600V*

0 ~ 20μA

10nA

+/-1%

0 ~ 600V*

0 ~ 2μA

1nA

+/-1%

0 ~ 600V*

0 ~ 200μA

0.1nA

+/-3%

0 ~ 600V*

擊穿電壓:三極管 Bvcbo,Bvceo,Bvebo,Bvcev,Bvces,Bvcer, 齊納二極管 Vzr J/MOS場(chǎng)效應(yīng)管BVgss/bvdss

測(cè)試范圍

分辨率

精度

測(cè)試條件

0 ~ 30V

0.15V

+/-1%

0 ~ 10 mA

30 ~ 600V

3V

+/-2%

0 ~ 2 mA

 

正向?qū)妷海喝龢O管 Vce(sat)Vbe(sat)二極管Vf J/MOS 場(chǎng)效應(yīng)管Vgs(th) 極管Bvr齊納管Vzf

測(cè)試范圍

分辨率

精度

測(cè)試條件

0 ~ 4V

1 mV

+/-1%

0 ~ 5A(1c.1f)

0 ~ 15V

1 mV

+/-2%

0 ~ 1A(1b)

 

三極管電流增益 Hfe

測(cè)試范圍

分辨率

精度

測(cè)試條件

0 ~ 9999

1

+/-2%

0 ~ 10(Vce)

   

0.5mA ~ 5A(lc)

 

齊納二極管反向擊穿壓BVz

測(cè)試范圍

分辨率

精度

測(cè)試條件

0 ~ 4V

1mV

+/-1%

0 ~ 0.5A

4 ~ 60V

15mV

+/-1%

0 ~ 0.5A

 

J/MOS場(chǎng)效應(yīng)管lgss,穩(wěn)壓器靜態(tài)電流+/-lgt

測(cè)試范圍

分辨率

精度

測(cè)試條件

0 ~ 200 mA

0.1 mA

+/-1%

0 ~ 30V

0 ~ 20 mA

1μA

+/-1%

0 ~ 30V

0 ~ 2μA

10 nA

+/-1%

0 ~ 30V

0 ~ 2μA

1 nA

+/-2%

0 ~ 30V

 

J型場(chǎng)效應(yīng)管跨導(dǎo)gm

測(cè)試范圍

分辨率

精度

測(cè)試條件

0 ~ 99mMHo

0.05 mMHo

+/-1%

0 ~ 30V

0 ~ 99μMHo

0.05μMHo

+/-1%

0 ~ 30V

0 ~ 99nMHo

0.05 nMHo

+/-2%

0 ~ 30V

 

可控硅管和三端雙向可控硅管觸發(fā)電流 +/-lgt

測(cè)試范圍

分辨率

精度

測(cè)試條件

0 ~ 1A

5 mA

+/-1%

0.9 ~ 5V

0 ~ 100 mA

0.5 mA

+/-1%

0.9 ~ 5V

0 ~ 10 mA

50μA

+/-1%

0.9 ~ 5V

0 ~ 1 mA

5μA

+/-1%

0.9 ~ 5V

0 ~ 1μA

0.5μA

+/-1%

0.9 ~ 5V

 

可控硅管和三端雙向可控硅管擎住電流 lh

測(cè)試范圍

分辨率

精度

測(cè)試條件

0 ~ 200 mA

1 mA

+/-1%

0.9 ~ 5V

 

可控硅管和三端雙向可控硅管觸發(fā)電壓 +/-Vgt、穩(wěn)壓器輸出電壓+/-Vo、穩(wěn)壓器電壓差△V

測(cè)試范圍

分辨率

精度

測(cè)試條件

0 ~ 4V

1 mV

+/-1%

0 ~ 30V

4 ~ 40V

10 mV

+/-1%

0 ~ 30V

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