IST8800提供了40種測(cè)量參數(shù),它們分別為: ·三極管:Icbo,lceo,lebo,Bvcbo,Bvebo,Bvceo,Vce(sat)VbeHfe,Icer,1Cesm,Icev,BVCer,BvceS,Bvcev; ·二極管:Ir,BVr,Vr·齊納二極管:BVz,lzr,Vzr,Vzf J—FET:Idss;Igss,BVgss,gm,SCR&TRIAC:+/|lgt,+/|vgt ·穩(wěn)壓器:+/_VO,+lib,△V MOS-PET:Idss,Igss,BVdss,Vgs(th) 性能特點(diǎn):·后備電池的CMOS RAM,提供56個(gè)不同測(cè)試程序的參數(shù)與數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)功能·全部可編程的DUT恒流源和電壓源 · 300μS脈沖測(cè)試或直流測(cè)試·內(nèi)置繼電器矩陣提供更加靈活并且準(zhǔn)確的測(cè)量·軟件自校準(zhǔn)功能·內(nèi)部自動(dòng)保護(hù)電路在DUT加電前,檢測(cè)開(kāi)路、短路,PH結(jié)反向,辨別器件類(lèi)型(NPN或PNP、P-溝道或N-溝道),校驗(yàn)正確的連接·測(cè)試分辨率小到0.1nA電流,大到1200V電壓 ·重復(fù)“回路”式測(cè)試解決了元件發(fā)熱與間歇的問(wèn)題。 |
參數(shù)規(guī)范: 漏電流:三極管 icbo,iceo,icev,ices,ice r二極 izr J/MOS-FET 柵極電壓: idss
測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 | 0 ~ 2mA | 1μA | +/-1% | 0 ~ 600V* | 0 ~ 20μA | 10nA | +/-1% | 0 ~ 600V* | 0 ~ 2μA | 1nA | +/-1% | 0 ~ 600V* | 0 ~ 200μA | 0.1nA | +/-3% | 0 ~ 600V* | 擊穿電壓:三極管 Bvcbo,Bvceo,Bvebo,Bvcev,Bvces,Bvcer, 齊納二極管 Vzr J/MOS場(chǎng)效應(yīng)管BVgss/bvdss 測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 | 0 ~ 30V | 0.15V | +/-1% | 0 ~ 10 mA | 30 ~ 600V | 3V | +/-2% | 0 ~ 2 mA |
正向?qū)妷海喝龢O管 Vce(sat)Vbe(sat)二極管Vf J/MOS 場(chǎng)效應(yīng)管Vgs(th) 極管Bvr齊納管Vzf 測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 | 0 ~ 4V | 1 mV | +/-1% | 0 ~ 5A(1c.1f) | 0 ~ 15V | 1 mV | +/-2% | 0 ~ 1A(1b) |
三極管電流增益 Hfe 測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 | 0 ~ 9999 | 1 | +/-2% | 0 ~ 10(Vce) | | | | 0.5mA ~ 5A(lc) |
齊納二極管反向擊穿壓BVz 測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 | 0 ~ 4V | 1mV | +/-1% | 0 ~ 0.5A | 4 ~ 60V | 15mV | +/-1% | 0 ~ 0.5A |
J/MOS場(chǎng)效應(yīng)管lgss,穩(wěn)壓器靜態(tài)電流+/-lgt 測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 | 0 ~ 200 mA | 0.1 mA | +/-1% | 0 ~ 30V | 0 ~ 20 mA | 1μA | +/-1% | 0 ~ 30V | 0 ~ 2μA | 10 nA | +/-1% | 0 ~ 30V | 0 ~ 2μA | 1 nA | +/-2% | 0 ~ 30V |
J型場(chǎng)效應(yīng)管跨導(dǎo)gm 測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 | 0 ~ 99mMHo | 0.05 mMHo | +/-1% | 0 ~ 30V | 0 ~ 99μMHo | 0.05μMHo | +/-1% | 0 ~ 30V | 0 ~ 99nMHo | 0.05 nMHo | +/-2% | 0 ~ 30V |
可控硅管和三端雙向可控硅管觸發(fā)電流 +/-lgt 測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 | 0 ~ 1A | 5 mA | +/-1% | 0.9 ~ 5V | 0 ~ 100 mA | 0.5 mA | +/-1% | 0.9 ~ 5V | 0 ~ 10 mA | 50μA | +/-1% | 0.9 ~ 5V | 0 ~ 1 mA | 5μA | +/-1% | 0.9 ~ 5V | 0 ~ 1μA | 0.5μA | +/-1% | 0.9 ~ 5V |
可控硅管和三端雙向可控硅管擎住電流 lh 測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 | 0 ~ 200 mA | 1 mA | +/-1% | 0.9 ~ 5V |
可控硅管和三端雙向可控硅管觸發(fā)電壓 +/-Vgt、穩(wěn)壓器輸出電壓+/-Vo、穩(wěn)壓器電壓差△V 測(cè)試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測(cè)試條件 | 0 ~ 4V | 1 mV | +/-1% | 0 ~ 30V | 4 ~ 40V | 10 mV | +/-1% | 0 ~ 30V | |